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ITO靶材 

发布时间:2017/11/24
ITO靶材

  

     1、氧化铟锡靶材纯度≥99.99%;
  2、氧化铟锡靶材致密度≥99.5%;

  3、氧化铟锡靶材电阻率≤0.14 mΩ·cm;

  4、物理规格:呈片状或其他形状,其尺寸及偏差由供需双方商定;

  5、外观颜色均匀;表面平整,无裂纹,无崩边崩角,且无任何外来夹杂物和污染物;

  6、内部缺陷:内部无裂纹,无异物。

  本项目采用清华大学化工联合国家重点实验室最新研发的注浆-气氛烧结法先进生产工艺制备纳米氧化铟锡高性能靶材,同时项目在纳米氧化铟锡前驱体制备阶段创造性地采用了微反应器技术。主要工艺如下: